Транзистор MMBFJ177LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET)

39,60 ₽

Артикул: 2a58cc537bef Категория:

      Описание

      MMBFJ177LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET) The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.

      • -25V Drain-gate voltage
      • 25V Gate-source voltage

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыПолевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)

      Детали
      Бренд

      ON SEMICONDUCTOR
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      3 Вывода
      Стандарт Корпуса Транзистора

      sot-23
      Наименование

      MMBFJ177LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА