Силовой модуль IGBT SEMIX101GD12VS

20700,00 ₽

Артикул: babb8e0ee867 Категории: , ,

      Описание
      Тип модуля
      IGBT
      Конструкция диода
      транзистортранзистор
      Топология
      полумост IGBT x3, термистор NTC
      Обратное напряжение макс.
      1.2кВ
      Ток коллектора
      121А
      Импульсный ток
      300А
      Корпус
      SEMIX13
      Применение
      инвертор
      Электрический монтаж
      винтами
      Монтаж
      винтами
      Рабочая температура
      -55…150°C
      Напряжение затвор — эмиттер
      ±20В